UMC2NT1G

Name: ON Semiconductor UMC2NT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (14 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70
Date Sheet

Lagernummer 390

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：5
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：60
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2010
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：5
Направленность：PNP
Конфигурация：COMMON BASE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Распад мощности：150mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
База (R1)：22k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：22k Ω
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 390

Итого $0.00000