Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHG21N80AEF-GE3
Изображение служит лишь для справки






SIHG21N80AEF-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.3A; Idm: 37A; 179W; TO247AC
Date Sheet
Lagernummer 11092043
- 1+: $3.44686
- 10+: $3.25175
- 100+: $3.06769
- 500+: $2.89405
- 1000+: $2.73023
Zwischensummenbetrag $3.44686
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:800V
- Drain current:10.3A
- Pulsed drain current:37A
- Case:TO247AC
- Gate-source voltage:±30V
- Монтаж:THT
- Kind of package:tube
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 11092043
- 1+: $3.44686
- 10+: $3.25175
- 100+: $3.06769
- 500+: $2.89405
- 1000+: $2.73023
Итого $3.44686