(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI4800BDY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI4800BDY-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 2.5W
Date Sheet
Lagernummer 55000
- 1+： $0.20166
- 10+： $0.19025
- 100+： $0.17948
- 500+： $0.16932
- 1000+： $0.15974
Zwischensummenbetrag $0.20166
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：30V
- Drain current：9A
- Pulsed drain current：40A
- Case：SO8
- Gate-source voltage：±25V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 55000
- 1+： $0.20166
- 10+： $0.19025
- 100+： $0.17948
- 500+： $0.16932
- 1000+： $0.15974
Итого $0.20166
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
