(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI5908DC-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI5908DC-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
Date Sheet
Lagernummer 546
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET x2
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：20V
- Drain current：5.9A
- Pulsed drain current：20A
- Gate-source voltage：±8V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 546
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
