Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI4922BDY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки






SI4922BDY-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 35A
Date Sheet
Lagernummer 35018
- 1+: $1.02345
- 10+: $0.96552
- 100+: $0.91087
- 500+: $0.85931
- 1000+: $0.81067
Zwischensummenbetrag $1.02345
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET x2
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:30V
- Drain current:8A
- Certificates:RoHS compliant
- Kind of channel:enhanced
- Kind of package:reel
- Kind of package1:tape
- Монтаж:SMD
- Gate-source voltage:±12V
- Case:SO8
- Pulsed drain current:35A
Со склада 35018
- 1+: $1.02345
- 10+: $0.96552
- 100+: $0.91087
- 500+: $0.85931
- 1000+: $0.81067
Итого $1.02345