Изображение служит лишь для справки






SIHFR020TR-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY SILICONIX
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID):14 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.1 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:56 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):91 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):42 W
Со склада 0
Итого $0.00000