(0)
Изображение служит лишь для справки
FHC40LG
-
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, SMT, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
- Материал наружного корпуса：1
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：1x10
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD
- Описание пакета：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
- Код упаковки производителя：CASE LG
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：DISK BUTTON
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：4
- Код JESD-30：O-CRDB-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：3.5 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：HIGH ELECTRON MOBILITY
- Частотная полоса наивысшего режима：X BAND
- Профиль：beryllium copper
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.29 W
- Уголок мощности-минимум (Гп)：14 dB
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
