Изображение служит лишь для справки






TPH2R306NH
-
Toshiba America Electronic Components
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 10000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
- Максимальный ток утечки (ID):60 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:SQUARE
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Type of connector:pin strips
- Соединитель:socket
- Kind of connector:female
- Spatial orientation:straight
- Contacts pitch:2.54mm
- Electrical mounting:THT
- Connector pinout layout:1x36
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:S-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0023 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:200 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):453 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Профиль:beryllium copper
Со склада 10000
Итого $0.00000