(0)
Изображение служит лишь для справки
SISS12DN-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 18905
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：28 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID)：60 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：80 ns
- Время включения макс. (ton)：90 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：S-PDSO-N5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.00198 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：200 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：65.7 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：90 pF
Со склада 18905
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
