(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFU430APBF
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,
Date Sheet
Lagernummer 70
- 1+： $1.62200
- 10+： $1.53019
- 100+： $1.44358
- 500+： $1.36186
- 1000+： $1.28478
Zwischensummenbetrag $1.62200
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID)：5 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：IN-LINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-251AA
- Сопротивление открытого канала-макс：1.7 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：20 A
- Минимальная напряжённость разрушения：500 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：130 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：110 W
- Ток насыщения：1
Со склада 70
- 1+： $1.62200
- 10+： $1.53019
- 100+： $1.44358
- 500+： $1.36186
- 1000+： $1.28478
Итого $1.62200
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
