(0)
Изображение служит лишь для справки
SIA456DJ-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, POWERPAK-6
Date Sheet
Lagernummer 200
- 1+： $12.00235
- 10+： $11.32297
- 100+： $10.68205
- 500+： $10.07740
- 1000+： $9.50699
Zwischensummenbetrag $12.00235
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：SC-70, POWERPAK-6
- Максимальный ток утечки (ID)：2.6 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：75 ns
- Время включения макс. (ton)：55 ns
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：1.38 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：2 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：19 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：6 pF
- Ток насыщения：1
Со склада 200
- 1+： $12.00235
- 10+： $11.32297
- 100+： $10.68205
- 500+： $10.07740
- 1000+： $9.50699
Итого $12.00235
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
