(0)
Изображение служит лишь для справки
SIZ322DT-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor
Date Sheet
Lagernummer 1527
- 1+： $1.01759
- 10+： $0.95999
- 100+： $0.90565
- 500+： $0.85439
- 1000+： $0.80603
Zwischensummenbetrag $1.01759
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：2
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：,
- Date Of Intro：2017-03-21
- Максимальный ток утечки (ID)：30 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：60 ns
- Время включения макс. (ton)：70 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：S-PDSO-N8
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN SOURCE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.00635 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：100 A
- Минимальная напряжённость разрушения：25 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：11.25 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：16.7 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：50 pF
Со склада 1527
- 1+： $1.01759
- 10+： $0.95999
- 100+： $0.90565
- 500+： $0.85439
- 1000+： $0.80603
Итого $1.01759
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
