(0)
Изображение служит лишь для справки
SIA466EDJ-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 9000
- 1+： $0.40269
- 10+： $0.37990
- 100+： $0.35840
- 500+： $0.33811
- 1000+： $0.31897
Zwischensummenbetrag $0.40269
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Type of cable accessories：cable chain
- Радиус изгиба：150mm
- Версия：frames openable from inner radius
- External height：50mm
- External width：92.5mm
- Internal height：35mm
- Internal width：76mm
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：SC-70, 6 PIN
- Максимальный ток утечки (ID)：25 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：32 ns
- Время включения макс. (ton)：43 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0095 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：50 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：19.2 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：135 pF
- Длина：1040mm
Со склада 9000
- 1+： $0.40269
- 10+： $0.37990
- 100+： $0.35840
- 500+： $0.33811
- 1000+： $0.31897
Итого $0.40269
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
