(0)
Изображение служит лишь для справки
SI3469DV-T1-E3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, MO-193C, TSOP-6
Date Sheet
Lagernummer 8118
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：End Of Life
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：MO-193C, TSOP-6
- Максимальный ток утечки (ID)：5 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Type of cable accessories：cable chain
- Радиус изгиба：125mm
- Версия：frames openable from inner radius
- External height：50mm
- External width：119.5mm
- Internal height：35mm
- Internal width：103mm
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Pure Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MO-193AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.03 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.14 W
- Ток насыщения：1
- Длина：1040mm
Со склада 8118
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
