(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFR24N15D
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 8574
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал：connector housing - PVC-45P
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Номинальное напряжение：250 V
- Cable cross-section：3 x 0.75 (42 strands x 0.15 mm) mm2
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Описание пакета：PLASTIC, DPAK-3
- Максимальный ток утечки (ID)：24 A
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.095 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：96 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：170 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：1
- Диаметр：sheath - 6.5 ... 6.8 mm
- Длина：5000 mm
Со склада 8574
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
