Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

IRFP1405

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Материал корпуса:brass
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Описание:SMA flange socket
  • Operating Frequency Range:18 GHz
  • Contact Material:phosphor bronze
  • Материал изолятора:PTFE
  • Метод крепления:screw-on
  • Рохс Код:No
  • Код цикла жизни компонента:Transferred
  • Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
  • Код упаковки компонента:TO-247AC
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
  • Максимальный ток утечки (ID):95 A
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Код JESD-609:e0
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Импеданс:50 Ohm
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Диапазон рабочей температуры:-40 …+85 °C
  • Код JEDEC-95:TO-247AC
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0053 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:640 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:55 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):530 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):310 W

Со склада 0

Итого $0.00000