(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFH8330TRPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Вес：0.43
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента：QFN
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
- Максимальный ток утечки (ID)：17 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Глубина：housing - 8 ± 0.5; with leads - 70 ± 3 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0066 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：210 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：52 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：35 W
- Ток насыщения：1
- Высота：2.6 ± 0.5 mm
- Ширина：6.6 ± 0.5 mm
- Диаметр：lead - 0.6 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
