(0)
Изображение служит лишь для справки
ARF448B
-
Advanced Power Technology
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Описание пакета：TO-247, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID)：15 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Категория：Climatic - 40/085/21
- Порог диэлектрической прочности：1500 (Phase-phase) / 2250 (Phase-ground) V
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Three-phase network filter DL series
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247AD
- Минимальная напряжённость разрушения：450 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：230 W
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
