(0)
Изображение служит лишь для справки
SI7450DP-T1-E3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 2980
- 1+： $1.42993
- 10+： $1.34899
- 100+： $1.27263
- 500+： $1.20060
- 1000+： $1.13264
Zwischensummenbetrag $1.42993
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Color actuator/housing：metal (Ф10 mm)/black
- Максимальное напряжение：125/250 (AC) V
- Switching cycles (electrical)：50000 min
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID)：3.2 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Тип：PBS-24 series pushbutton switch
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Глубина：42.2 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-XDSO-C5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.09 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：40 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：5.2 W
- Ток насыщения：1
- Высота：17.2 (housing); 27 (total) mm
- Ширина：12.2 (housing); 23.5 (total) mm
Со склада 2980
- 1+： $1.42993
- 10+： $1.34899
- 100+： $1.27263
- 500+： $1.20060
- 1000+： $1.13264
Итого $1.42993
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
