(0)
Изображение служит лишь для справки
BUK98150-55
-
Nexperia
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 55V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 300000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал корпуса：thermoplastic (UL 94 V-0)
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Gross Weight：2.01
- Метод крепления：PCB mounting - soldering
- Порог диэлектрической прочности：500 (50 Hz, 1 min.) V
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NEXPERIA
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Максимальный ток утечки (ID)：5.5 A
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Шаг контакта：2.54 mm
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Тип соединителя：M - plug
- Конечная обработка контакта：TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Глубина：9.1 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Количество контактов：14 (7 x 2)
- Сопротивление контакта：20 mΩ max
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Изоляционный сопротивление：1000 MΩ min
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Диапазон рабочей температуры：0 …+85 °C
- Сопротивление открытого канала-макс：0.15 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：30 A
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：15 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：1
- Высота：9.3 (housing) + 3.10 mm
- Ширина：25.38 mm
Со склада 300000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
