Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SI2356DS-T1-GE3

Lagernummer 60000

  • 1+: $0.20254
  • 10+: $0.19107
  • 100+: $0.18026
  • 500+: $0.17005
  • 1000+: $0.16043

Zwischensummenbetrag $0.20254

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал:rubber NK / carbon structural steel
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of capacitor:ceramic
  • Kind of capacitor:MLCC
  • Монтаж:SMD
  • Case - inch:0402
  • Case - mm:1005
  • Capacitors series:GCM
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:TO-236, SOT-23, 3 PIN
  • Максимальный ток утечки (ID):4.3 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Вместимость нагрузки:21 kg
  • Нить:M8
  • Допуск:±5%
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:C
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Капацитивность:51pF
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-PDSO-G3
  • Диэлектрик:C0G (NP0)
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-236AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.051 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:40 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):1.7 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):17 pF
  • Ток насыщения:1
  • Высота:30 mm

Со склада 60000

  • 1+: $0.20254
  • 10+: $0.19107
  • 100+: $0.18026
  • 500+: $0.17005
  • 1000+: $0.16043

Итого $0.20254