SI7315DN-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7315DN-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Price: 0.491305 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (10 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 150V, 0.315ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet

Lagernummer 2000

1+： $0.49130
10+： $0.46350
100+： $0.43726
500+： $0.41251
1000+： $0.38916

Zwischensummenbetrag $0.49130

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：17 Weeks, 4 Days
Покрытие контактов：silver
Поверхностный монтаж：YES
Материал корпуса：brass
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Operating Frequency Range：7.5 GHz
Contact Material：brass
Метод крепления：cable mount
Gross Weight：55.30
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Максимальный ток утечки (ID)：8.9 A
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Тип соединителя：7/16 DIN plug
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：S-PDSO-C5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Изоляционный сопротивление：10000 MOhm min
Импеданс：50 Ohm
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Диапазон рабочей температуры：-40…+85 °C
Сопротивление открытого канала-макс：0.315 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：10 A
Минимальная напряжённость разрушения：150 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：9.8 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Ток насыщения：1
Уровень защиты：IP68

Со склада 2000

1+： $0.49130
10+： $0.46350
100+： $0.43726
500+： $0.41251
1000+： $0.38916

Итого $0.49130