(0)
Изображение служит лишь для справки
SIS126DN-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 25242
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Type of capacitor：ceramic
- Kind of capacitor：MLCC
- Монтаж：SMD
- Case - inch：0402
- Case - mm：1005
- Capacitors series：GCM
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：SOP-8
- Date Of Intro：2019-02-07
- Максимальный ток утечки (ID)：45.1 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：44 ns
- Время включения макс. (ton)：38 ns
- Допуск：±5%
- Код ECCN：EAR99
- Капацитивность：82pF
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Код JESD-30：S-PDSO-F5
- Диэлектрик：C0G (NP0)
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0125 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：100 A
- Минимальная напряжённость разрушения：80 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：52 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：11.2 pF
Со склада 25242
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
