(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BS170RLRP
Изображение служит лишь для справки
BS170RLRP
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：500mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：350mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Box (TB)
- Опубликовано：2005
- Код JESD-609：e0
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
- Положение терминала：BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Моментальный ток：500mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：3
- Код JESD-30：O-PBCY-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：350mW
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5 Ω @ 200mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：60pF @ 10V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：500mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.5A
- Сопротивление открытого канала-макс：5Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
