Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MGSF1N03LT3

Изображение служит лишь для справки






MGSF1N03LT3
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.6A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:420mW Ta
- Время отключения:16 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2005
- Код JESD-609:e0
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный:30V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Моментальный ток:1.6A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:730mW
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:100m Ω @ 1.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:140pF @ 5V
- Время подъема:1ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):1 ns
- Непрерывный ток стока (ID):1.6A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.1Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:30V
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000