BS108G

Name: ON Semiconductor BS108G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (18 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：250mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2V 2.8V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：350mW Ta
Время отключения：15 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：250mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：350mW
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8 Ω @ 100mA, 2.8V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：150pF @ 25V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：250mA
Пороговое напряжение：1.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.25A
Сопротивление открытого канала-макс：8Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000