(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7701GTRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7701GTRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 491
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-TSSOP
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1.5W Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：11mOhm
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Распад мощности：1.5W
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11mOhm @ 10A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5050pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：100nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-12V
- Входной ёмкости：5.05nF
- Сопротивление стока к истоку：11mOhm
- Rds на макс.：11 mΩ
- Номинальное Vgs：-1.2 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 491
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
