Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI4456DY-T1-GE3

Изображение служит лишь для справки






SI4456DY-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 36
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Вес:186.993455mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:33A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:3.5W Ta 7.8W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Опубликовано:2015
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:8
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:3.5W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.8m Ω @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.8V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5670pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:122nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):3.3A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):23A
- Максимальный импульсный ток вывода:70A
- Минимальная напряжённость разрушения:40V
- Номинальное Vgs:2.8 V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 36
Итого $0.00000