(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP70N12S3L12AKSA1
Изображение служит лишь для справки
IPP70N12S3L12AKSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET N-CHANNEL_100+
Date Sheet
Lagernummer 157
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Опубликовано：2016
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：70A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0158Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：280A
- Минимальная напряжённость разрушения：120V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：410 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 157
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
