(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RMW280N03TB
Изображение служит лишь для справки
RMW280N03TB
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SMD, Flat Lead
- MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP
Date Sheet
Lagernummer 10700
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3W Ta
- Время отключения：94 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Число контактов：8
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：3W
- Время задержки включения：24 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.8m Ω @ 28A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3130pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：53nC @ 10V
- Время подъема：81ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：50 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：28A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Максимальный импульсный ток вывода：112A
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 10700
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
