(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK20G60W,RVQ
Изображение служит лишь для справки
TK20G60W,RVQ
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Date Sheet
Lagernummer 204
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Вес：3.949996g
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：165W Tc
- Время отключения：100 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：DTMOSIV
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：50 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：155m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.7V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1680pF @ 300V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：48nC @ 10V
- Время подъема：25ns
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：6 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：20A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：600V
- Характеристика ТРП：Super Junction
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 204
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
