Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPI65R380C6XKSA1

Изображение служит лишь для справки






IPI65R380C6XKSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
Date Sheet
Lagernummer 490
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10.6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:83W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:CoolMOS™
- Опубликовано:2008
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:380m Ω @ 3.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 320μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:710pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:39nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):650V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Максимальный сливовой ток (ID):10.6A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.38Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:29A
- Минимальная напряжённость разрушения:650V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):215 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 490
Итого $0.00000