IRF530A

Name: ON Semiconductor IRF530A
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (13 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet

Lagernummer 340

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：55W Tc
Время отключения：55 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：1997
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：110MOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：55W
Время задержки включения：13 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：110m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：790pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：36nC @ 10V
Время подъема：14ns
Время падения (тип)：36 ns
Непрерывный ток стока (ID)：14A
Пороговое напряжение：2V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：0V
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Максимальный импульсный ток вывода：56A
Высота：9.4mm
Длина：10.1mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 340

Итого $0.00000