(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные VN0808L-G
Изображение служит лишь для справки
VN0808L-G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
Date Sheet
Lagernummer 54
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов：3
- Вес：453.59237mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：300mA Tj
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2009
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：HIGH INPUT IMPEDANCE
- Положение терминала：BOTTOM
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4 Ω @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 25V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Непрерывный ток стока (ID)：300mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Сопротивление открытого канала-макс：4Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：80V
- Высота：5.33mm
- Длина：5.21mm
- Ширина：4.19mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 54
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
