Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TN0604N3-G

Изображение служит лишь для справки






TN0604N3-G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Date Sheet
Lagernummer 714
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов:3
- Вес:453.59237mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:700mA Tj
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:740mW Ta
- Время отключения:25 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH INPUT IMPEDANCE
- Положение терминала:BOTTOM
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:740mW
- Время задержки включения:10 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:750m Ω @ 1.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.6V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:190pF @ 20V
- Время подъема:6ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):20 ns
- Непрерывный ток стока (ID):700mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.7A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.75Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:40V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):50 pF
- Высота:5.33mm
- Длина:5.21mm
- Ширина:4.19mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 714
Итого $0.00000