Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTZD3152PT1H

Изображение служит лишь для справки






NTZD3152PT1H
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A T/R
Date Sheet
Lagernummer 575
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:15 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:6
- Вес:8.193012mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:35 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
- Максимальная потеря мощности:250mW
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:280mW
- Время задержки включения:10 ns
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:900m Ω @ 430mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:175pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
- Время подъема:12ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Время падения (тип):19 ns
- Непрерывный ток стока (ID):430mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):6V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.43A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.9Ohm
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 575
Итого $0.00000