(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы UPA1857GR-9JG-E1-A
Изображение служит лишь для справки
UPA1857GR-9JG-E1-A
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- MOSFET N-CH DUAL 60V 8-TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 3107
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：8-TSSOP
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Last Time Buy
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.8A
- Описание пакета：,
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：UPA1857GR-9JG-E1-A
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.73
- Серия：-
- Безоловая кодировка：Yes
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Название бренда：Renesas
- Мощность - Макс：1.7W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：67mOhm @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：580pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.8 A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.7 W
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Со склада 3107
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
