BSO615NGHUMA1

Name: Infineon Technologies BSO615NGHUMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (20 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：SIPMOS®
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：2.6A
Основной номер части：BSO615
Число контактов：8
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：150m Ω @ 2.6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 20μA
Без галогенов：Not Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：380pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Время подъема：15ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：60V
Сопротивление открытого канала-макс：0.15Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：10.4A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：60 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000