Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDS6961A_F011

Изображение служит лишь для справки






FDS6961A_F011
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SOIC
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:3.5A
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:900mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:90mOhm @ 3.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:220pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:4nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
Со склада 0
Итого $0.00000