(0)
Изображение служит лишь для справки
NDS8961
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 221
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Время отключения：14 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
- Максимальная потеря мощности：900mW
- Моментальный ток：3.1A
- Распад мощности：2W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100m Ω @ 3.1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：190pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10nC @ 10V
- Время подъема：15ns
- Время падения (тип)：3 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3.1A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 221
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
