Изображение служит лишь для справки






ARF446G
-
Microchip
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- -
- RF Power MOSFET N-Channel 900V 6.5A 65MHz 3-Pin TO-247
Date Sheet
Lagernummer 142
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:ARF446G
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Microsemi Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.74
- Максимальный ток утечки (ID):6.5 A
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:Yes
- Конечная обработка контакта:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-247AD
- Максимальный сливовой ток (ID):6.5 A
- Минимальная напряжённость разрушения:900 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):230 W
- Частотная полоса наивысшего режима:VERY HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 142
Итого $0.00000