(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ NE3508M04-T2-A
Изображение служит лишь для справки
NE3508M04-T2-A
-
National Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- -
- Small Signal GaAs FETs L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：NE3508M04-T2-A
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NEC Electronics Group
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NEC ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.3
- Максимальный ток утечки (ID)：0.03 A
- Код JESD-609：e6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN BISMUTH
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：3 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：HETERO-JUNCTION
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
- Уголок мощности-минимум (Гп)：12 dB
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
