(0)
Изображение служит лишь для справки
AGR26180EF
-
Advanced
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- -
- RF MOSFET Transistors 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：200 °C
- Артикул Производителя：AGR26180EF
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Broadcom Limited
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：BROADCOM LTD
- Ранг риска：5.31
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：225
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-CDFM-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：500 W
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
