SI2308BDS-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.6 (10 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - MOSFET Transistor, N Channel, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 20 V, 3 V
Date Sheet

Lagernummer 669

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.3A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.09W Ta 1.66W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Silver (Ag)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.09W
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：156m Ω @ 1.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：190pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.8nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：2.3A
Максимальный сливовой ток (ID)：1.9A
Сопротивление открытого канала-макс：0.156Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 669

Итого $0.00000