(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM6J507NU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6J507NU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-WDFN Exposed Pad
- MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
Date Sheet
Lagernummer 12000
- 1+： $0.48234
- 10+： $0.45504
- 100+： $0.42928
- 500+： $0.40498
- 1000+： $0.38206
Zwischensummenbetrag $0.48234
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-WDFN Exposed Pad
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.25W Ta
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVI
- Опубликовано：2015
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：20m Ω @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1150pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20.4nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：+20V, -25V
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 12000
- 1+： $0.48234
- 10+： $0.45504
- 100+： $0.42928
- 500+： $0.40498
- 1000+： $0.38206
Итого $0.48234
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
