SI1050X-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1050X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (17 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-563, SOT-666
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
Date Sheet

Lagernummer 30193

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Количество контактов：6
Вес：32.006612mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.34A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：236mW Ta
Время отключения：26 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：6
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：6.8 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：86m Ω @ 1.34A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：900mV @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：585pF @ 4V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11.6nC @ 5V
Время подъема：35ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：8V
Угол настройки (макс.)：±5V
Время падения (тип)：35 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.34A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：5V
Максимальный импульсный ток вывода：6A
Минимальная напряжённость разрушения：8V
Номинальное Vgs：5 V
Высота：600μm
Длина：1.7mm
Ширина：1.2mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 30193

Итого $0.00000