Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQ2318AES-T1_GE3

Изображение служит лишь для справки






SQ2318AES-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CHAN 40V SOT23
Date Sheet
Lagernummer 985
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:8A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:3W Tc
- Время отключения:12 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Опубликовано:2016
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения:7.5 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:31m Ω @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:555pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:13nC @ 10V
- Время подъема:8.4ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):5.7 ns
- Непрерывный ток стока (ID):8A
- Пороговое напряжение:2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):8A
- Минимальная напряжённость разрушения:40V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):46 pF
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 985
Итого $0.00000