MJD112T4G

Name: ON Semiconductor MJD112T4G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans Darlington NPN 100V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 20000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Количество элементов：1
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Максимальная потеря мощности：20W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：2A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MJD112
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Halogen Free
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 2A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：20μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3V @ 40mA, 4A
Частота перехода：25MHz
Максимальное напряжение разрушения：100V
Частота - Переход：25MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：2A
Высота：2.38mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 20000

Итого $0.00000