NJVNJD2873T4G

Name: ON Semiconductor NJVNJD2873T4G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans GP BJT NPN 50V 2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 1118

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Рабочая температура：-65°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：1.68W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Частота：65MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.68W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：65MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 50mA, 1A
Частота перехода：65MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：2.38mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1118

Итого $0.00000