(0)
Изображение служит лишь для справки
BC857BMTF
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 60000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 14 hours ago)
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Вес：30mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：45V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：110
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-45V
- Максимальная потеря мощности：310mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：-100mA
- Частота：150MHz
- Основной номер части：BC857
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：310mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：150MHz
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода：150MHz
- Максимальное напряжение разрушения：45V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
- Высота：970μm
- Длина：2.9mm
- Ширина：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 60000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
